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FPA-3030i5+步进器为IoT和MEMS制造商处理各种基板和材料提供了灵活性。FPA-3030i5+步进器能够提供350nm的成像分辨率，同时保持小于或等于40nm的叠加精度和等于或超过每小时104个晶圆的吞吐量...
佳能KrF光刻机FPA-6300ESW采用248nmKRF曝光光源，分辨率130nm，专为12英寸晶圆设计。...
斯公司的 MA/BA 4 代系列是最新一代的半自动光刻和键合对准机，并引进了新的平台系统。新平台主要是配置不同。它由标准款 MA/BA 4 代与用于先进高端工艺的扩展 MA/BA 4 代专业款组成。...
MA12是专为对准和曝光300毫米以下方形衬底和晶圆而设计的，适合于工业研究和生产。凭借灵活处理和过程控制解决方案，本设备主要用于先进封装，包括3D圆晶级芯片尺寸封装, 以及开发...
SUSS MicroTec为热门化合物半导体工艺专门设计了一款新型光刻平台：MA100/150e Gen2。化合物半导体工艺，是指诸如高亮发光二极管（HB-LEDs）、功率器件、RF-MEMS等方面的半导体应用。MA100/1...
SUSS MA200 3代光刻机专为大批量生产而设计，适用于200毫米以下晶圆和方形衬底的自动化加工。本系统集全场光刻技术与多种创新功能于一身。使其成为众多应用的首选系统，例如生产厚...
ASML 二手翻新现货ARF光刻机XT:1400E适用于300nm大小的晶圆，产能180wph。...
SUSS的第二代MA300是一个用于300毫米和200毫米晶圆的高度自动化的掩模对准光刻平台，专为三维封装、晶圆凸点和晶圆级封装应用而设 计，同时也可以用于图形尺寸5微米到100微米之间的其...
全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安装样品。Loadlock允许样本传输时间<2min；...
ASML 通过将 NXT:1950i 上的系统吞吐量提高 15%–20% 来解决光刻成本问题。性能增强包 PEP NXT:1950i 包括硬件和软件改进，将 NXT:1950i 的产量从每小时 175 片 125 片的晶圆增加到 200 片，甚至每小...
ASML二手翻新DUV光刻机NXT:1965Ci，采用193nmARF曝光光源，分辨率38nm，产能250wph。...
ASML二手现货DUV光刻机XT:400L，分辨率350nm，产能230wph。...
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