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SAMCO深硅刻蚀系统RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性。...
SAMCO深硅刻蚀设备RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授...
SAMCO ICP刻蚀设备RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。...
SAMCO ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP是一种能够产生高密度等离子体的ICP（感应耦合等离子体）蚀刻系统。该系统具有高电导真空系统和精确的压力控制，允许在低压和高压以及低压和高...
SAMCO二手现货ICP刻蚀机RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled ...
SAMCO ICP刻蚀机RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度...
RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 "RIE-10NR "的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，P...
RIE等离子蚀刻系统 RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统，它提高了工艺的可重复性，并允许腐蚀性气体化学。完全优化的工艺室设计可在ø8 "晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优...
SAMCO等离子刻蚀机RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3"×12，ø4"×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在最大限度地减少工厂空间需求，提...
Gasonics等离子刻蚀系统L3510 设计用于半导体晶圆的灰化和清洗。Gasonics等离子刻蚀系统L3510 通过产生单原子氧（一种活性物质）来做到这一点，它与晶圆表面的光刻胶发生化学反应。...
LAM RESEARCH刻蚀系统TCP 9400最初设计用于生产多晶硅蚀刻，可批量处理6英寸晶圆...
LRC Rainbow 蚀刻机专为连续操作而设计，由计算机控制，允许手动或自动控制。Lam Rainbow 44XX 系列可用于硅化钨、氮化硅、多晶硅、氧化物、结晶硅等。...
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