LAM RESEARCH刻蚀系统TCP 9400最初设计用于生产多晶硅蚀刻。端点检测和高选择性蚀刻工艺允许在非常薄的底层氧化层上停止。LAM RESEARCH刻蚀系统TCP 9400已使用多种气体重新配置，并已证明对蚀刻一系列全面的材料是有效的。这种广泛的气体列表还允许对单个材料的蚀刻特性进行重大裁剪。LAM RESEARCH刻蚀系统TCP 9400还允许定制和自动化每个配方的清洁和调节过程，以减少过程交叉污染的可能性。目前，用户可以蚀刻硅基材料、III-Vs、金属和有机材料。亚微米特征的蚀刻深度通常为1或2微米。一些材料具有50nm的特征或3微米的深度（不是同时）。
功能特性：
•配置为6“晶片，较小的样品可安装在6”载体晶片上
•TCP感应射频等离子体源-1000瓦
•单独偏置射频电源–1000瓦
•所有干式泵送系统
•晶片的静电夹紧
•温控卡盘–40℃至80℃
•工艺压力范围：5mT至300mT
•通过背面氦气压力和冷却卡盘冷却晶片
•加热室
•入口和出口负载锁室
•磁带到磁带
•气体：HBr、Cl2、O2、SF6、C2F6、He、Ar、CH4、H2
•材料：Si、Si3N4、SiO2、玻璃、III-Vs、金属、有机物
