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蚀刻机上的EPD是什么作用?

发布日期:2024-09-11


EPD:Endpoint Detection

在解释EPD作用原理之前,不得不先提plasma产生的原理。

一、Plasma产生原理

Plasma:部分离子化的导电气体,整体呈电中性(一般约10000个粒子中只有1个被电离),Plasma的产生主要分为三过程:解离、激发、离子化。

电浆中获得能量的电子与原子或者分子碰撞,碰撞分为弹性碰撞及非弹性碰撞两种(下图A)。

图A:电浆中的碰撞反应过程


弹性碰撞只有动能有所变化,内能保持不变。当电子的能量低时,容易引起弹性碰撞,电子被顶回而改变方向。由于电子的部分能量转移成为原子的动能,原子获得微小的速度,电子因为碰撞所损失的能量很小。

非弹性碰撞,内能会发生改变,会发生解离、激发、离子化。

a)激发:指碰撞离子给予能量给原子内的束缚电子,使其跃迁至更高的轨道位置。由于激发状态不稳定,被激发的电子在这种状态下只能停留 10810^{-8} s左右,回归原理轨道稳定状态。此时放出光。plasma发光即由此发生,而EPD也是根据不同元素所发出光的波长不同进行侦测。激发的反应过程如下:

A+e A*+e A+e+hv

其中,A:中性原子,A*:A在激发状态,h:常熟,v:所放出光的频率。

b)离子化:碰撞电子的能量大于电离所需能量时,位于最外圈的电子被释放出,中性粒子便成为阳离子。此时反应过程如下:

A+e +A^{+}+2e

c)解离:当碰撞电子赋予分子键能以上的能量时,就会将键打断,发生解离。此时反应过程如下:

AB+e  A+B+e

当分子解离时,其生成物的化学活性较原来的分子增加,形成富有反应性的粒子。如此处于被活性化状态的粒子被称为自由基(Radical)。如CF4一度经过激发状态后,容易解离成CF3及F*.反应过程如下:

CF4 -> CF4* -> CF3+F*

二、EPD作用及机理

Dry etch不像Wet etch,不同材料(膜层)间有很高的选择比,而膜层间选择比不高的情况下,在实际etch过程中,就会很容易对下层layer 造成damage或者该层layer未open或未完全open.

那么如何避免或者改善此种情况呢?

刚入行脑子机灵的兄弟可能会说:在Chamber里装个摄像头一切不就迎刃而解了吗。说的好,EPD就相当于我们在Chamber里的“摄像头”,相当于我们在chamber里的“眼睛”,可以让我们实时知道Chamber内反应进行到了那一步,以便我们根据EPD curve决定在什么时候结束该步的刻蚀,进行下一步。一方面保证需要etch的layer全部open,另一方面可以避免对下层layer造成damage或者控制对下层layer的OE量。

而EPD就是侦测上述plasma产生原理过程中激发状态后退激所发出的光(在Chamer侧壁观察孔中可以看到不同gas起辉时发出的光颜色不同 ),然后将光信号转化为电信号,这里电信号就是Chamber内的“眼睛”。

在plasma中,发射光的强度与相关元素的相对浓度有关。如etch A layer,而A layer下是B layer,那么当A layer open过程中,EPD就会侦测到Chamber内A layer中所含元素与反应gas的生成物浓度在逐渐下降(也即该元素EPD curve逐渐下降);或者反应gas触及B layer后,Chamber内B layer中所含元素与反应gas的生成物浓度在逐渐上升(也即该元素EPD curve逐渐上升)。具体工艺具体分析。根据这一点,EPD就能检测出什么时候刻蚀材料已被刻完并进行下层材料的刻蚀,就能够很好的保证需要etch的layer全部open,以及避免对下层layer造成damage或者控制对下层layer的OE量。

其实EPD还有一个常见用途,即负责侦测process后WAC有没有将Chamber清理干净/恢复原来状态(即炒完菜之后锅有没有刷干净,避免影响下道菜的口味/品相)。

上述相关内容参考资料:

1)八田吉典:【气体放电】第二版,近代科学社;

2)H.R.Koenig&L.I.Maissel:IBM J.Res.&Dev.14,p.168;

3)B.Chapman:Glow Discharge Process,John Wiley&Sons;






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