工艺类：
Al-Cu-Si铝硅铜：其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅.后来为了金属电荷迁移现象（Electromigration）故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移。
Alloy合金（ALSI）：半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。
Anneal回火：激活杂质、消除损伤
atoms：原子
Bake：烘烤，芯片置于稍高温(60℃~250℃)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)
Softbake：软烤，其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片的附着力
Hardbake：预烤，又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wetetching)更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻
BarrierLayer阻障层：为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW
Boat：晶舟
BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)：为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质
USG：没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面，影响组件的特性。
BufferLayer缓冲层：通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力，从而提升Si3N4对Si表面附着能力。
Chamber：真空室，反应室
Al Bond Pad: Create a bond pad for packaging purposes
洁净室：又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求非常高。常用class表示等级（class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗）。
Deposition Rate：沉积速率，表示薄膜成长快慢的参数。一般单位A/s
Copper Line：铜线
Die：晶粒，一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒
Dielectric介电材料：介于导电材料之间的绝缘材料。常用的介电材料有SiO2,Si3N4等
Diffusion扩散
DIWater去离子水
Drypump：干泵，主要的特点是可以从大气压下直接开始抽气，所以可以单独使用
Electromigration：电子迁移，在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的
ETCH：蚀刻其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部份去除，此种去除步骤，便称为蚀刻(ETCH)
FourPointProbe：四点测针，是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器。
FTIR：傅氏转换红外线光谱分析仪
GateValve：闸阀，用来控制气体压力的控制装置。
GateOxide：闸极氧化层
GrainSize：颗粒大小
Hillocks：小凸起
HPM：HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称，常用来去除移动金属离子。
ILD：Inter-LayerDielectrics内层介电材料，第一层金属层与Si底材之间的介电层，我们常用的是BPSG.
IntrinsicStress：内应力
ExtrinsicStress：外应力
IonImplanter：离子植入机
IonSource：离子源
LPCVD：LowPressureChemicalVaporDeposition,即低压化学气相沉积。
LDD工艺(轻掺杂漏)：在漏极与沟道之间形成很一层很薄的轻掺杂区，降低漏极附近峰值电场强度，消弱热载流子效应。
Mask：光罩，在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻璃片上，这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩（Mask）；在离子植入或LOCOS氧化时，上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩（Mask），以降低离子植入时的通道效应或氧化时的阻挡。
MFC：质流控制器
OCAP：OutofControlActionPlan，制程异常处理程序
OhmicContact：欧姆接触，金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面
PR：光阻（PhotoResist）
PVD：物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition）
TIM ：Top Inner Magnet，顶部内磁铁
TOM ： Top Outer Magnet，顶部外部磁铁
BIM ：Bottom Inner Magnet，底部内磁铁
BOM ：Bottom Outer Magnet，底部外部磁铁
ECP：电化学电镀（Electrochemical Plating）
ALD：原子层沉积（Atomic Layer Deposition）
WCVD：Tungsten (Wolfram) Chemical Vapor Deposition
MOCVD：Metal-organic Chemical Vapor Deposition
PLD：Pulsed Laser Deposition
IMD：Intermetal Dielectric
RPC：Reactive Preclean
PinHole：针孔缺陷类型
CMP：ChemicalMechanicPolishing，化学机械研磨
Recipe：工艺程式
Reclaim：再生硅片，测试硅片上的粒子与晶层经过蚀刻与磨平程序，可重新回收卖给晶圆厂使用
Reflow：再回流
Reliability：可靠性
RTP：快速热制程
Scanner：扫描装置
Silicide：金属硅化物，为金属舆硅的化合物
Salicide：自对准金属硅化物(Self-AlignedSilicide)
SEM：Scanning Electron Microscope扫描式电子显微镜
Scrubber：刷洗机
SheetResistance：片电阻
SPC（StatisticalProcessControl）：统计，过程，控制英文的缩写，是一种质量管理方法
SPEC（Specification）：规范界限
Spike：尖峰
Void孔洞：是一种材料缺陷，会影响材料的致密性，从而影响强度。当对表面有阶梯的晶片进行膜层沉积时，因为沉积角度不同等因素，导致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，这样的话沉积的膜层将无法完全填入洞中，极有可能造成孔洞
STR：Stress，应力，对固体物体所施与的外力或其本身所承受的内力，称为'应力（stress）'.
REF：Reflect 反射率
THK：Thickness 薄膜厚度
RS：Resisitance 电阻
PA：Particle 颗粒
DN：Defect Notice 缺陷通知报告
GOF：Goodness Of Fit 拟合度
EDC：Electronic Data Capture 电子数据采集
SOI(Silicon on Insulator)：超薄绝缘层上硅技术
TEOS：四乙基正硅酸盐，含有硅与碳、氢与氧的有机硅源，化学分子式是Si(OC2H5)4，其沸点较高，常压下约（169℃）。在CVD制程的应用上，TEOS在足够的温度下TEOS进行反应而产生二氧化硅
热电偶（Thermocouple）：测量温度之用。有两根不同材质的探头放入被测环境中，得到电压值，再将电压值转变为温度值。
Tungsten：钨
低真空（LowVacuum)760-1torr
中真空（MediumVacuum)1-10-3
高真空（HighVacuum)10-3-10-7
极高真空（UlteaHighVacuum)10-7~10-10
Uniformity：均匀性
UpTime：使用率，表示机台可以run货的时间，包含run货的时间及机台lost时间，即除down机时间
Via：金属与金属之间的通道
Yield：良率，即合格率，合格的产品占总产品的比例。
Fabless：指没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试、封装等环节外包
Foundry：圆晶代工模式、专门负责生产、制造芯片，不负责芯片设 计，可同时为多家设计公司提供服务
IDM：Integrated Device Manufacturer，指垂直整合制造工厂，是集芯片设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合 元件制造商，属于半导体芯片行业的一种运作模式
EPI：Epitaxy外延片
Lot：若干个晶圆组成的一个批次叫Lot
LOCOS(Local Oxidation of Silicon)：硅局部氧化工艺
NPW：非产品片的总称，包括:结构片、监控片（Monitor）、QC片、Season暖机片、Dummy片
Season片：机台启动后，投个Season片进行暖机
STI(Shallow Trench Isolation)：浅沟槽隔离
offline：与Lot加工处理不相关的定义为offline，比如设备PM、NPW的处理过程、辅助工具的处理过程的一些数据监控
Inline：与LOT加工直接相关的或者是监控LOT的参数属于Inline。
OOC/OOS：针对规格或控制图的两对控制线
VMS：(virgin makeup solution)
操作类：
Batch：若干个lot和NPW组成的集合
Hold：把片子锁住不让往后流片，执行此动作的系统是MES
splits：分批
Release：解锁，片子可以继续往后流
Future hold：提前设置好片子要Hold在未来的哪个工序
issue：产线出现的问题
Run：设备正在Run, 产品Lot
BKUP：Run_Foundry Lot，设备正在Run, 其他厂的Lot
TEST_CW：Run_NPW，设备正在Run, 控挡片Lot: C、D、Y、Z、V
TEST：借机, DOE, SRC等，设备可供Run, 但工程师通过向MFG借设备做工程实验/调整Recipe/或MFG follow SRC…等
IDLE：闲置，设备可供Run, 但因无WIP或其他间接物料可Run
SUSPEND：延缓，设备可供Run, MFG为了某些特殊原因而闲置, 如Q-Time管控, 空机等Key Lot…等）
MON_R：Daily Monitor，依据OI规定进行设备可靠性常规检查(Daily Monitor)
PM：预防保养，预防定期维护(维修保养)
MON_PM：PM后Monitor，预防定期维护后的可靠性检查(PM后Monitor)
DOWN：宕机，机台异常, 无法正常生产
MON_DOWN：Down后Monitor，机台异常修复后的可靠性检查(Down后Monitor)
HOLD_ENG：PE异常确认，PE澄清, 产品异常确认, 停止设备Run货(Defect…)
WAIT_ENG：等待PE/EE处理，设备显示异常信息,等待工程部(PE/EE)处理
WAIT_MFG：等待MFG处理，等待制造部处理(PE/EE借机后, 交回MFG)
FAC：Facility，因厂务的水/电/气/火…等异常引起Down机
CIM：IT，因MES/IT系统…等异常问题引起Down机
OFF：装机，停机
系统类：
SRC：split run card
RRC：recover run card
MES：Manufacturing Execution System，生产执行系统，用于管理生产过程的IT系统，包括:对生产过程和物理设施的建模、过程监控和追溯等功能，对下连接EAP、横向对接WMS、SPC系统和物流系统、对上连接ERP系统，也会和OA系统对接
FMEA：Fail Mode Effect Analysis
PRS：Process Release Standard
TRS：Tool Released Standard
STR：Special Test Request
MSTR：Mass Special Test Request
T0：Tier0 mean Pre-hook and hook up
T1：Tier1 means hardware installation and BKM test
T2：Tier2 means standard process tuning
T3：Tier3 means to go qualification lot or condition release
组织会议类
OP meeting：跨部门的生产会议
PP：生产计划
IE：工业工程师
MFG：制造部
YE：缺陷改善工程师
PE：工艺工程师，简称工艺
PIE：制程整合工程师
TD：技术研发部门
ECN：临时工程变更通知
DRB：Disposition Review Board，针对lot，比如超Spec了往下放就要开drb进行追踪
EAR：Event abnormal review:重大的品质事件
MRB：material review board，重大物料异常
Fab 生产指标名词
PN（Prior Notice）：料号，不同供应商，不同材料参数的衬底会有不同的料号，和Raw material一样的意思，站在供货方角度叫PN，站在收货方角度就叫原材料
Cycle Time (C/T, Day Per Layer)：(每层)生产周期，产品在经二道黄光制程之间所花时间
Move (Stage, Step(m/c),Location)：晶片移动量
T/R (Turn Ratio)：(在制品)周转率，每片晶片平均每天所跑过的Stage数
Wafer Out ( Wafer Start --> QC Inspection --> W/H)：晶片产出量，经由OQA 检验合格由FAB出货的晶片数量
FAB_Yield：整厂良率，工厂的产出晶片良品数量与投入生产之晶片数量的比率
Wafer Acceptance Test Yield：电性合格测试的合格率
Move/Manufacturing Assistant-Hour：每人工小时的晶片移动量(生产力)，每名MA每工作小时平均所产生的晶片移动量
OTDO (On-Time Delivery for Order）：工厂准时交货率，工厂依照PC&IE订定的出货日程提早或准时出货的能力
OTDV (On-Time Delivery for Volume)：工厂产量达成率，工厂依照P&IE订定的每月交货量出货的能力
Control wafer usage：控片使用率，平均每生产一片晶片所需使用的控片数量
Auto operation ratio：自动操作比例，系统预约operation的比例
Sampling ratio：抽样率，产品量测之比例
WPH（Wafer Per Hour）：机台每小时晶片产出量
Uptime：设备时间稼动率，设备的实际可使用时间所占比例
Utilization：设备性能稼动率，设备在可使用时间范围实际用于生产的时间所占比例
Effi% loss：设备产出效能损失，设备的实际产出与理论产出的差异
Rework（RWK）：产品重工率，反映产品按照既定recipe、机台产出既定规格产品之水平
OEE（Overall Equipment Efficienc）：设备综合效率，设备负荷时间内实际产出与理论产出的比值
F-CLIP（Fab-Confirmed Line Item Performance）：工厂准时交货率，工厂依照生产企划部订定的出货日程提早或准时出货的能力
F-CVP（Fab-Confirmed Volume Performance）：工厂产量达成率，工厂依照生产企划部订定的每月交货量出货的能力
AOQ（Average Outgoing Quality）：平均出货水准，无暇疵产品的比率
