集成电路工艺主要包括如下几点内容：图形转换，掺杂，制膜。
- 图形转换：将设计在掩膜版上的图形转移到半导体晶片上，工艺主要包括光刻与刻蚀。 掺杂：根据设计需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。
- 工艺主要包括离子注入、退火和扩散。
- 制膜：制作各种材料的薄膜，工艺主要包括氧化、CVD和PVD。
1.1 图形转换：光刻技术。
光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机。
光刻胶：又称光致抗蚀剂，受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。
正胶：曝光后可溶，分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。
负胶：曝光后不可溶，分辨率差，适用于加工线宽≥3us的线条。
几种常见的光刻方法：
- 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜损失。
- 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10-25um）,可以大大减小膜版的损伤，分辨率较低。
- 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多曝光方式。
超细线条光刻技术
- 1：甚远紫外线（EUV）
- 2：电子束光刻:
- 3：X射线
- 离子束光刻
1.2 图形转换：刻蚀技术。
湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。
- 1：应用：磨片、抛光、清洗和腐蚀。
- 2：优点：选择性好、重复性好、生产率高、设备简单、成本低:
- 3：缺点：钻蚀严重，对图形的控制性差。
干法刻蚀：利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。
- 1：溅射与离子束刻蚀
- 2：等离子刻蚀
- 3：反应例子刻蚀
2. 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻和欧姆接触。磷或砷形成N型硅，硼形成P型硅。
2.1 扩散
- 主要是III和V族元素
- 一般要在很高的温度（950-1280℃）进行
- 磷、硼、砷在二氧化碳层中扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层。
2.2 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目（剂量）决定。
- 掺杂均匀性好；
- 温度低：小于600℃
- 可精确控制杂质分布
- 可注入各种各样元素
- 横向扩展比扩散小的多。
- 可以对化合物半导体进行掺杂
2.3 退火，也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气不活泼气氛中进行的热处理过程，称为退火。退火方式有炉退火，快速退火。
- 激活杂质，使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质作用。
- 消除损伤。
3.1 制模：氧化工艺
制备SiO2层：十分理想的电绝缘材料，化学性质非常稳定。常作为MOS器件的绝缘栅介质，扩散时的掩蔽层，隔离介质材料，电容器绝缘介质材料，钝化材料等。
SiO2制备方法：热氧化法，化学气相淀积法、热分解淀积法、溅射法
3.2 制模：化学汽相淀积（CVD），通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。
方法：常压化学汽相淀积；低压化学汽相淀积；等离子增强化学汽相淀积。
举例1：单晶硅的化学汽相淀积（外延）：一般，将在衬底上生产单晶材料的工艺叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片。
举例2：二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时的介质层，还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜。
3.3 制模：物理汽相淀积（PVD）
蒸发：真空系统中，金属原子获得足够能量后，便可以脱离表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。
溅射：真空系统中充入惰性气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上。
