湿法刻蚀
在半导体生产工艺流程前期的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，一般会采用湿法刻蚀。
因为湿法刻蚀选择性好、重复性强、操作简便，可提高生产效率 ，对设备要求低、易于大批量生产，可以有效的降低投入成本，从而广泛应用于磨片、抛光、清洗、腐蚀。
但任何事物都不是那么十全十美，湿法刻蚀它的缺点也相对的比较突出。
因为化学反应的各向异性差异，致使钻刻严重、对图形的控制性较差、很难精准控制图形、不能用于小的特征尺寸、会产生大量的化学废液。
对于采用微米级和亚微米级线宽的超大规模集成电路，必须采用具有较高各向异性特性，才能保证图形精度，显然湿法刻蚀不能满足。
