Lam 9600 旨在蚀刻具有高度垂直侧壁的铝金属和 TiW 层，适用于 0.35 um 线宽。等离子体是一种中高密度、变压器耦合等离子体，类似于 ICP 源，允许单独控制线圈（顶部电极）功率和压板（下部电极）功率。在腔室中，晶圆被机械夹持到水冷压板上，He 背面气体提供耦合。Cl2/BCl3 化学成分用于 Al 和 SF6 用于 TiW 层。TiW 蚀刻和 Cl 钝化步骤（也使用 SF6）可以在出口锁或主腔室中进行。预计 Cl 化学对 Al2O3 层以及具有最小底切的硅沟槽有效。
Lam 9600 旨在蚀刻具有高度垂直侧壁的铝金属和 TiW 层，适用于 0.35 um 线宽。等离子体是一种中高密度、变压器耦合等离子体，类似于 ICP 源，允许单独控制线圈（顶部电极）功率和压板（下部电极）功率。在腔室中，晶圆被机械夹持到水冷压板上，He 背面气体提供耦合。Cl2/BCl3 化学成分用于 Al 和 SF6 用于 TiW 层。TiW 蚀刻和 Cl 钝化步骤（也使用 SF6）可以在出口锁或主腔室中进行。预计 Cl 化学对 Al2O3 层以及具有最小底切的硅沟槽有效。
